Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2017
Gael Gautier : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://univ-tours.hal.science/hal-01741078
Soumis le : jeudi 22 mars 2018-16:22:06
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:06
Citer
Julie Lascaud, Thomas Defforge, Dominique Certon, Damien Valente, Gaël Gautier. In-depth porosity control of mesoporous silicon layers by an anodization current adjustment. Journal of Applied Physics, 2017, 122 (21), ⟨10.1063/1.4997228⟩. ⟨hal-01741078⟩
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