Persistent M2 phase in strongly strained (011)-oriented grains in VO 2 films grown on sapphire (001) in reactive sputtering - Université de Tours Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2019

Persistent M2 phase in strongly strained (011)-oriented grains in VO 2 films grown on sapphire (001) in reactive sputtering

Kohei Matsuoka
  • Fonction : Auteur
Kunio Okimura
Nurul Hanis Azhan
  • Fonction : Auteur
Mustapha Zaghrioui
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
CV
Joe Sakai
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Matériaux

Mustapha Zaghrioui  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://univ-tours.hal.science/hal-02525682

Soumis le : mardi 31 mars 2020-09:34:59

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:15

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Dates et versions

hal-02525682 , version 1 (31-03-2020)

Identifiants

Citer

Kohei Matsuoka, Kunio Okimura, Nurul Hanis Azhan, Mustapha Zaghrioui, Joe Sakai. Persistent M2 phase in strongly strained (011)-oriented grains in VO 2 films grown on sapphire (001) in reactive sputtering. Journal of Applied Physics, 2019, 125 (16), pp.165304. ⟨10.1063/1.5068700⟩. ⟨hal-02525682⟩

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