Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
ambroise schellmanns : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://univ-tours.hal.science/hal-01862351
Soumis le : lundi 27 août 2018-12:07:00
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01862351 , version 1
Citer
Guillaume Goubard, Zheng Ren, Nathalie Batut, Ambroise Schellmanns. Simulated 1200V SiC-MOSFET short-circuit behavior. icrepq2018, Mar 2018, Salamanca, Spain. ⟨hal-01862351⟩
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