Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2018
Gael Gautier : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://univ-tours.hal.science/hal-01740927
Soumis le : jeudi 22 mars 2018-15:10:15
Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-09:42:54
Citer
Bin Lu, Samuel Menard, Benjamin Morillon, Daniel Alquier, Gael Gautier. Investigation of Porous Silicon-Based Edge Termination for Planar-Type TRIAC. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65 (2), pp.655 - 659. ⟨10.1109/TED.2017.2786143⟩. ⟨hal-01740927⟩
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